《Modeling and Suppression of the Crosstalk Issue Considering the Influence of the Parasitic Parameters of SiC MOSFETs》書籍摘要

本文的目标读者是对SiC MOSFET器件及其在电力电子变换器中的应用感兴趣的工程师、研究人员和学生。特别是那些关注SiC MOSFET的串扰问题，以及希望找到有效方法来抑制这种串扰以提高变换器可靠性的专业人士。此外，本文对寄生参数影响的深入分析和建模，也适合那些希望深入了解SiC MOSFET工作原理和性能的研究人员。

Xiaoli Guo是南通大学电气工程学院的副教授，研究方向包括电力系统优化、可再生能源发电技术和储能技术。Dian Wu是南通大学电气工程学院的硕士研究生，研究方向包括基于SiC器件的变换器的寄生参数和串扰问题分析。Lei Zhang是南通大学电气工程学院的副教授，研究方向包括电力电子、SiC MOSFET的应用、可再生能源发电的建模与控制。Xibo Yuan是senior member，研究方向包括电力电子与电机驱动、风力发电、多电平变换器、宽禁带器件的应用、电动汽车和更多电力飞机技术。Xinsong Zhang是南通大学电气工程学院的教授，研究方向为电力系统运行与规划、风电并网和储能系统。Shugen Bai于2021年开始在南通大学电气工程学院攻读硕士学位，目前的研究兴趣包括基于SiC器件的变换器的死区补偿和谐波分析。Jian Zhong于2018年毕业于南通大学电子科学与技术专业，目前在南通大学电气工程学院攻读电气工程硕士学位，研究方向为电力电子与光伏逆变器。

随着SiC MOSFET等宽禁带半导体器件在高压、大容量和高开关频率变换器中得到越来越广泛的应用，其串扰问题比Si IGBT更为严重。传统的Si IGBT串扰抑制方法不能直接应用于SiC MOSFET，而且由于SiC MOSFET开关时具有较大的di/dt和dv/dt，共源电感等寄生参数对串扰问题的影响越来越明显。因此，如何更好地抑制SiC MOSFET的串扰，特别是考虑各种寄生参数，成为学术界和工业界关注的焦点。